法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):A01N 1/00 授权公告日:20110420 终止日期:20120613 申请日:20080613
专利权的终止
2011-04-20
授权
授权
2009-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-19
公开
公开
机译: 制作亚微米结构的过程及其在半导电体的亚微米宽度制造深介电隔离区中的应用
机译: 在半导体中制作高纵横比的孔的方法及其在0.05微米以下MOSFET的栅极镶嵌工艺中的应用
机译: 的方法,通过应用带有曲线仪和离心机针的功能装置,测定存在于小于1微米的korrelgrootten小于1微米的分散体中的沉淀物的korrelverdelings图解,这两种方法均可在实践中应用。