使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法

摘要

包含氢(或氘)的非晶氧化物被应用到晶体管的沟道层。因此，可以实现具有优秀的TFT特性的薄膜晶体管，所述优秀的TFT特性包括小的迟滞现象、常断操作、高导通/关断比、高饱和电流等等。此外，作为一种用于制造由非晶氧化物制成的沟道层的方法，在包含氢气和氧气的气体环境中执行成膜，以便可以控制非晶氧化物的载流子浓度。