制造钨线和使用该钨线制造半导体器件栅极的方法

摘要

本发明涉及制造钨线和使用该钨线制造半导体器件栅极的方法。一种用于制造钨(W)线的方法，所述方法包括：形成含硅层，在该含硅层上形成扩散阻挡层，在扩散阻挡层上形成钨层，并且对所述钨层实施热处理工艺以增大钨层的晶粒尺寸。