一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构形成方法

摘要

一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法，首先在LDD掺杂前结构的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的LDD附近结构，再通过物理化学方法在LDD附近结构形成离子注入阻挡层进而形成LDD掺杂前结构，阻挡层其厚度从靠近栅区一侧到靠近漏区一侧逐渐减小，最后对LDMOS芯片器件的表面进行N型杂质的离子注入，最终形成一个纵向和横向同时近似线性增加的LDD结构。本发明的LDD在横向和纵向同时形成浓度梯度，使LDD掺杂浓度从靠近栅侧到靠近漏侧线性上升，与常规LDMOS相比，本发明可在保持漏极电阻基本不变的情况下提高器件击穿电压，或者在保持器件击穿电压基本不变的同时大大减小漏极电阻，提高了LDMOS器件频率和功率性能。