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进行电压比较,防止电压比较精度恶化的半导体集成电路

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摘要

本发明提供一种进行电压比较，防止电压比较精度恶化的半导体集成电路，该半导体集成电路(101)具备：接收第1输入电压以及第2输入电压的差动放大电路(A1)；通过对经由第1电容器(C1P)从差动放大电路(A1)的第1输出端子接收到的电压以及经由第2电容器(C1N)从差动放大电路(A1)的第2输出端子接收到的电压进行比较，输出表示第1输入电压以及第2输入电压的比较结果的数字信号的闩锁电路(U1)；具有与第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及与第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第2端子的第3电容器(CZ1)。

著录项

公开/公告号CN101267193B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN200710300950.6
发明设计人富泽淳;西川和康;
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申请日2007-12-14
分类号H03K5/08(20060101);H03F3/45(20060101);H03F3/34(20060101);H03F1/30(20060101);H03M1/34(20060101);H03M1/36(20060101);H03M1/44(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人吴丽丽
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 09:05:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-01

授权

授权
2008-11-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-17

公开

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