公开/公告号CN101097163B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 首安工业消防有限公司;
申请/专利号CN200710057402.5
申请日2007-05-21
分类号G01K7/00(20060101);G01K15/00(20060101);
代理机构12108 天津才智专利商标代理有限公司;
代理人庞学欣
地址 101304 北京市首都机场南半壁店工业区李天路22号
入库时间 2022-08-23 09:05:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-08
专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):G01K 7/00 授权公告日:20100811 登记号:2012990000591 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 解除日:20171114 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2017-12-08
专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):G01K 7/00 授权公告日:20100811 登记号:2012990000591 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 解除日:20171114 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2012-12-05
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):G01K 7/00 登记号:2012990000591 登记生效日:20121010 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 发明名称:一种用于判断线型感温探测器中探测导体与导电层接触导通的方法 授权公告日:20100811 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2012-12-05
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):G01K 7/00 登记号:2012990000591 登记生效日:20121010 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 发明名称:一种用于判断线型感温探测器中探测导体与导电层接触导通的方法 授权公告日:20100811 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2012-12-05
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):G01K 7/00 登记号:2012990000591 登记生效日:20121010 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 发明名称:一种用于判断线型感温探测器中探测导体与导电层接触导通的方法 授权公告日:20100811 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2012-12-05
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):G01K 7/00 登记号:2012990000591 登记生效日:20121010 出质人:首安工业消防有限公司 质权人:美国银行有限公司上海分行 发明名称:一种用于判断线型感温探测器中探测导体与导电层接触导通的方法 授权公告日:20100811 申请日:20070521
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2010-08-11
授权
授权
2010-08-11
授权
授权
2010-08-11
授权
授权
2010-08-11
授权
授权
2008-08-06
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 变更前:
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-08-06
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080704 申请日:20070521
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-08-06
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080704 申请日:20070521
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-08-06
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080704 申请日:20070521
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-02
公开
公开
2008-01-02
公开
公开
2008-01-02
公开
公开
2008-01-02
公开
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机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 用导电材料选择性地填充在绝缘层中刻蚀形成的接触孔的方法,用于制造高密度集成半导体电路,以及用于该方法的设备