以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法

摘要

一种以两阶段蚀刻在半导体基材上形成熔丝窗的方法。提供一半导体基材，具有一熔丝线，形成在一介电层堆叠结构中，包括有一目标层，中间介电材料层以及保护层。先于保护层上形成光致抗蚀剂层，具有一开口，位于熔丝线正上方。接着进行第一干蚀刻工艺，经由该开口非选择性的蚀刻保护层及中间介电材料层，暴露出目标层。进行第一厚度量测步骤，量测目标层的厚度。进行第二干蚀刻工艺，根据在第一厚度量测步骤所量测到的目标层厚度决定出蚀刻时间，继续蚀刻掉一部分的目标层厚度，形成该熔丝窗。