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鳍状场效应晶体管中栅极区域的多步骤化学机械研磨

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摘要

一个制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)型态的半导体组件的方法包含将沉积于整个沟道上的栅极材料(320)平坦化的步骤。该平坦化步骤以包含初始的即“粗略的”平坦化和随后的“精细的”平坦化的多步骤制造过程的方式施行。用来作精细平坦化的研磨液(slurry)可包含添加物质，该物质倾向于黏附在栅极材料较低的区域。

著录项

  • 公开/公告号CN1806318B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 先进微装置公司;

    申请/专利号CN200480016137.0

  • 发明设计人 K·阿楚坦;S·S·艾哈迈德;汪海宏;

    申请日2004-06-05

  • 分类号H01L21/321(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);C09G1/02(20060101);C09K3/14(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20100512 终止日期:20190605 申请日:20040605

    专利权的终止

  • 2011-02-23

    发明专利更正 卷:26 号:19 页码:扉页 更正项目:发明人 误:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏 正:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏|俞斌 申请日:20040605

    发明专利更正

  • 2011-02-23

    发明专利公报更正 卷:26 号:19 IPC(主分类):H01L0021336000 更正项目:发明人 误:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏 正:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏|俞斌 申请日:20040605

    发明专利更正

  • 2011-02-23

    发明专利更正 卷:26 号:19 页码:扉页 更正项目:发明人 误:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏 正:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏|俞斌 申请日:20040605

    发明专利更正

  • 2011-02-23

    发明专利公报更正 卷:26 号:19 IPC(主分类):H01L0021336000 更正项目:发明人 误:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏 正:K·阿楚坦|S·S·艾哈迈德|汪海宏|俞斌 申请日:20040605

    发明专利更正

  • 2010-09-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 变更前: 变更后: 登记生效日:20100721 申请日:20040605

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-09-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 登记生效日:20100721 申请日:20040605

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-05-12

    授权

    授权

  • 2010-05-12

    授权

    授权

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-19

    公开

    公开

  • 2006-07-19

    公开

    公开

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