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碳纳米管发射器及利用其的场发射器件及它们的制造方法

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摘要

本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。

著录项

  • 公开/公告号CN100568436C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星SDI株式会社;

    申请/专利号CN200510113205.1

  • 发明设计人 李亢雨;陈勇完;韩仁泽;金夏辰;裵民钟;

    申请日2005-10-12

  • 分类号H01J1/304(20060101);H01J9/02(20060101);C01B31/02(20060101);H01J31/12(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李晓舒;魏晓刚

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/304 授权公告日:20091209 终止日期:20141012 申请日:20051012

    专利权的终止

  • 2009-12-09

    授权

    授权

  • 2006-06-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-03

    公开

    公开

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