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常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法

摘要

一种常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法,其特征是采用共面式介质阻挡放电,在基体与绝缘介质之间的短间隙产生薄层等离子体,TiCl4蒸气与氧气在薄层等离子体区反应并沉积到基体上,在常温常压下直接制得具有光催化活性的纳米晶TiO2薄膜。薄膜由20~30nm的晶粒组成,晶粒具有以锐钛矿相为主、仅含有少量金红石相的混晶结构。采用的基体与绝缘介质之间的短间隙距离为0.1~3mm,气体总流速为0.1~2m/s,TiCl4与O2的摩尔比为0.005~0.5。采用交流高压电源,其频率范围为50Hz-10kHz。本方法的效果和益处是该制备方法在常温常压下进行,具有装置简单、能耗低和薄膜沉积速率快的特点,适合于各种材质的基体,尤其适合于不耐热的有机高分子基体材料。

著录项

  • 公开/公告号CN100582045C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN200710010707.0

  • 发明设计人 朱爱民;丁天英;石川;徐勇;

    申请日2007-03-21

  • 分类号C03C17/245(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/40(20060101);C01G23/07(20060101);B01J21/06(20060101);B01J37/00(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人侯明远;李宝元

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/245 授权公告日:20100120 终止日期:20160321 申请日:20070321

    专利权的终止

  • 2010-01-20

    授权

    授权

  • 2007-11-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-03

    公开

    公开

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