用于CIS类薄膜太阳能电池的连续高电阻缓冲层和窗口层的形成方法和用于实施该连续膜形成方法的连续膜形成设备

摘要

一种用于通过MOCVD法连续沉积高电阻缓冲层和窗口层(透明导电膜)的方法，其中能够获得与常规溶液生长方法中相同的输出特性，同时简化用于膜沉积的方法和设备并通过降低原料成本和废物处理成本而显著降低生产成本。因为在半成品的太阳能电池基底的光吸收层(1C)上依高电阻缓冲层(1D)和窗口层(1E)的顺序连续形成多层结构，在该半成品的太阳能电池基底中，金属基电极层(1B)和光吸收层(1C)顺序沉积在玻璃基底上(1A)上，因此简化了膜沉积法和设备并降低了原料成本和废物处理成本。