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ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备及其在光电化学阴极保护中的应用

摘要

本发明属于光电化学阴极保护技术领域,具体涉及ZnO/CdO/CdSe复合薄膜的制备及其在光电化学阴极保护中的应用,本发明首先利用醋酸锌经高温煅烧制备得到氧化锌晶种层,然后使氧化锌晶种层在无水氯化锌和乌洛托品的混合溶液经水热反应和高温煅烧制得ZnO薄膜,ZnO薄膜再于硝酸镉和硫代乙酰胺的混合溶液经水热反应和高温煅烧制得ZnO/CdO复合薄膜,最后ZnO/CdO复合薄膜经硒化制得ZnO/CdO/CdSe复合薄膜。该ZnO/CdO/CdSe复合薄膜可作为光阳极应用于光电化学阴极保护中,可以克服当前的光电化学阴极保护材料光利用率不够,光生电子空穴对分离效率低的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113443835B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN202110711625.9

  • 发明设计人 刘胜;林逸昶;

    申请日2021-06-25

  • 分类号C03C17/34;C23F13/14;

  • 代理机构深圳市创富知识产权代理有限公司;

  • 代理人高冰

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2022-09-06 00:36:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-26

    授权

    发明专利权授予

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