一种2DWS2/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种2D WS2/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器及其制备方法与应用；该蓝光探测器由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、u‑GaN缓冲层、InGaN层；所述InGaN层上有SiO2窗口层、2D WS2层、第一金属电极；所述2D WS2层上有第二金属电极。本发明通过在InGaN层上引入2D WS2层，利用2D WS2材料禁带宽度为2eV及其能带结构特点，能够与InGaN层实现II型异质结结构，在界面上形成内建电场，电子将向2D WS2层迁移，空穴将向InGaN层迁移，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大光电流，实现了自驱动、高响应蓝光探测器。