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公开/公告号CN110692171B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-22
原文格式PDF
申请/专利权人 感应光子公司;
申请/专利号CN201880034124.8
发明设计人 斯考特·伯勒斯;布伦特·费希尔;詹姆斯·卡特;
申请日2018-04-12
分类号H01S5/183;H01S5/42;G01S7/481;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人纪雯
地址 美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-09-06 00:36:08
机译: 用于超小型垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的发射器结构以及包含该发射器结构的阵列
机译: 倒装芯片组件,包括垂直腔表面发射激光器(VCSELS)阵列,以及包含倒装芯片组件的光发射器组件
机译: 用于超小型垂直腔表面发射激光器(VCSELs)和包含相同的阵列的发射极具结构
机译:具有硅树脂封装结构和并行光发射器模块的高速垂直腔表面发射激光器的高可靠性
机译:InGaAs / GaAs垂直腔表面发射激光器(VCSEL)结构中的自发发射变化
机译:具有通过晶片键合形成的InAs量子点的耦合垂直腔结构的双色表面发射器件的制造
机译:使用垂直腔表面发射激光器阵列的宽带四通道光发射器封装
机译:蓝光发射器和垂直腔激光器的InGaN异质结构的光学表征:效率和重组动力学。
机译:温度稳定的中红外GaInAsSb / GaSb垂直腔表面发射激光器(VCSEL)
机译:蓝光发射器和垂直腔激光器的InGaN异质结构的光学表征:效率和复合动力学
机译:使用垂直腔面发射激光器的高速集成光电发射器的材料和器件研究