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一种提升STT-MRAM近似缓存能效的方法及系统

摘要

本发明公开了一种提升STT‑MRAM近似缓存能效的方法及系统,属于计算机存储技术领域。本发明包括近似编码方法,具体为,依次判断缓存行中各写入元素是否近似,将相邻且近似的元素编入同一近似元素组,依次输出各近似元素组的近似编码;所述近似编码包括近似元素组的基准值和近似元素组中各元素的近似标记位;所述基准值为一个近似元素组中最大元素与最小元素几何平均值;所述近似标记位用于标记元素的位置和近似信息,便于后续译码操作;上述编码方案可以大大减少数据写入量。此外,本发明提出了针对基准值的近似写方法,进一步减少对数据的写操作,从而大大提升近似计算应用的能效。

著录项

  • 公开/公告号CN113190474B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202110484855.6

  • 申请日2021-04-30

  • 分类号G06F12/0877;

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人刘洋洋

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-09-06 00:34:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    授权

    发明专利权授予

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