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多层面存储器装置及操作方法

摘要

一些实施例包含使用以下各项的设备及方法:衬底;第一存储器单元块,其包含定位于所述衬底上方的第一存储器单元串,及耦合到所述第一存储器单元串的第一数据线;第二存储器单元块,其包含定位于所述第一存储器单元块上方的第二存储器单元串,及耦合到所述第二存储器单元串的第二数据线;第一导电路径,其定位于所述衬底上方且耦合于所述第一数据线与所述设备的缓冲器电路之间;及第二导电路径,其定位于所述衬底上方且耦合于所述第二数据线与所述缓冲器电路之间。所述第一导电路径及所述第二导电路径中无任何导电路径由所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享。

著录项

  • 公开/公告号CN108140416B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201780000921.X

  • 发明设计人 作井浩司;

    申请日2017-08-07

  • 分类号G11C16/10;G11C16/26;G11C16/04;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 13:39:08

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