一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法

摘要

本发明公开了一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法，包括如下步骤：首先确定栅氧加厚区域，即将从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内到硅区域与浅沟道隔离区域交界处定义为栅氧加厚区域(a)；然后修改相应的光刻板版图；再进行浅沟道隔离和阱离子注入，再在所述栅氧加厚区域(a)生长一层厚栅氧，再进行光刻并完全刻蚀掉晶体管中间部分的厚栅氧；最后生长栅氧的和淀积多晶硅栅。本发明通过加厚靠近浅沟道隔离区域的栅氧的方法来改善MOS场效应管中由反窄沟道效应引起的阈值电压(Vt)下降的问题。