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一种可见光促进C-3位芳硒基取代香豆素的合成方法

摘要

本发明公开了一种C‑3位芳硒基取代香豆素类化合物及其制备方法,即通过可见光促进条件下取代香豆素C‑3位C‑H键直接硒基化构建C‑3位芳硒基取代香豆素的一种新方法。该方法首先将C‑4位芳胺基取代香豆素类化合物和二芳基二硒醚类化合物溶解在有机溶剂中,然后加入氧化剂过二硫酸盐,在空气、室温条件和蓝色LED光源照射下,磁力搅拌反应18h~30h;反应结束后,反应液通过旋转蒸发器除去溶剂,残余物用硅胶柱进行纯化,制得通式(Ⅰ)C‑3位芳硒基取代的香豆素类化合物。

著录项

  • 公开/公告号CN109053661B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 青岛科技大学;

    申请/专利号CN201810990493.6

  • 发明设计人 杨道山;厉国庆;魏伟;

    申请日2018-08-28

  • 分类号C07D311/12(20060101);C07D311/16(20060101);

  • 代理机构11531 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人于鹏

  • 地址 266000 山东省青岛市市北区郑州路53号

  • 入库时间 2022-08-23 13:10:23

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