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公开/公告号CN110448806B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 鲍玉珍;
申请/专利号CN201910807783.7
发明设计人 鲍玉珍;
申请日2019-08-29
分类号A61N5/00(20060101);A61B5/01(20060101);
代理机构11920 北京卓爱普专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王玉松;刘青
地址 100094 北京市海淀区遗光寺八号院北区2号楼西单元201室
入库时间 2022-08-23 13:09:15
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 光电导电池,太赫兹波产生装置,太赫兹波检测装置,太赫兹波产生方法,太赫兹波检测方法
机译:使用激光混沌使用太赫兹波生成高偏压波的太赫兹波的带宽扩展
机译:通过泵浦和信号波检测产生的太赫兹波与T逝的太赫兹波相互作用
机译:太赫兹波和材料技术 - 实际使用的前景和陶瓷材料:比较毫米波,太赫兹波和每个未来的扩张
机译:开发用于实时太赫兹波频谱成像的捷变太赫兹波产生和检测系统
机译:用于高性能时域太赫兹系统中太赫兹波产生和检测的大面积等离子光电导纳米天线阵列。
机译:用太赫兹和次太赫兹波监测叶片水分
机译:连续波太赫兹的实时绝对频率测量 基于双太赫兹梳的不同频率光载流子的波 间距
机译:毫米波和亚毫米波/太赫兹无源成像系统要求:现象学视角。