In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法

摘要

本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为InxSnySb100‑x‑y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂In、Sn后得到；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y≤50。本发明的In‑Sn‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的In‑Sn‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有更好的热稳定性、低相变密度变化、高阻值，可有效降低相变材料的工作功耗，提升信息数据存储的稳定性和准确性，避免相变存储器进行数据存储时相变材料与电极的脱离，确保信息存储稳定、准确的同时，延长了相变存储器的使用寿命，提升了相变存储器的使用经济性。