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公开/公告号CN108493347B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN201810391450.6
发明设计人 邱龙臻;刘镇;田丰收;薛战;王晓鸿;陆红波;张国兵;
申请日2018-04-27
分类号H01L51/42(20060101);
代理机构34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司;
代理人余成俊
地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 13:07:20
机译: 用于提高光电探测器的高速的光电探测器载体及其制造方法
机译: 用于高光电转换效率和低暗电流的图像传感器
机译: 高光电转换效率和低暗电流的图像传感器
机译:通过使用聚合物改性的ZnO作为电子转移层,低暗电流和高光电探测透明有机紫外光探测器
机译:PMMA中的层间掺杂有Au纳米粒子的高性能串联光电探测器:抑制暗电流并保持高光电流的溶液
机译:依次溶液加工聚合物光电探测器的三相形态演化:朝向低暗电流和高光电探测
机译:Lightsabers(“Laster Swords”),用于提高光电探测器速度和响应度
机译:CCD图像传感器阵列的高速和高光敏性宽动态范围光电探测器。
机译:高响应度低暗电流刚性和柔性基板上的异质集成薄膜Si光电探测器
机译:PMMA的中间层掺杂有Au纳米粒子的高性能串联光电探测器:抑制暗电流并保持高光电流的溶液
机译:调查ascop 541f倍增光电管在暴露于高光水平最终报告后的暗电流,23 oct。 - 12月23日1964年