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一种纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料的制备方法和应用

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本发明提供了一种以泡沫镍为基质，负载NiMoO4纳米线和Ni3S2构建的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)Ni@NiMoO4纳米线的制备；(3)Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。

著录项

公开/公告号CN110400699B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人安徽理工大学;
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申请/专利号CN201910659687.2
发明设计人杨萍;丰丽娜;凌文钦;石建军;朱立;聂志豪;章文凯;
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申请日2019-07-22
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/84(20130101);H01G11/86(20130101);
代理机构34119 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙);
代理人靳红妍
地址 230031 安徽省淮南市山南新区泰丰大街168号
入库时间 2022-08-23 13:07:10

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