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公开/公告号CN112946447B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京交通大学;
申请/专利号CN202110043527.2
发明设计人 李虹;王玉婷;邵天骢;张波;郑琼林;
申请日2021-01-13
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩海花
地址 100044 北京市海淀区上园村3号
入库时间 2022-08-23 13:04:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-08
授权
发明专利权授予
机译: 基于电流检测的导通状态RDS(ON)中MOSFET漏源电阻的电压调节
机译: 基于电流感应的导通状态RDS(ON)中MOSFET漏源电阻的电压调节
机译: 基于恒定的漏极电压和恒定的漏极源极电流来测量晶体管的阈值电压的装置
机译:基于栅极源电压检测的中电压SiC MOSFET的短路保护方法
机译:TiSi / sub 2 /局部互连形成过程中,干式硅刻蚀引起的源极/漏极短路导致Ti SALICIDE栅极/源极/漏极短路
机译:用于在线准确的SIC MOSFET中的漏极源电压钳位电路在直流固态电源控制器中的SIC MOSFET的电阻测量
机译:栅极 - 源极偏置电压和闸门 - 漏极漏电流对FTO型SIC电源MOSFET的短路性能的影响
机译:基于电压源转换器的定制功率调节器的新型控制策略,可提高电压质量。
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:了解SIC高功率模块的开启瞬态:漏极源电压高原特性