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公开/公告号CN110608931B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 贵研铂业股份有限公司;
申请/专利号CN201910859155.3
发明设计人 陈松;毕亚男;王塞北;谢明;李爱坤;陈永泰;刘满门;王松;胡洁琼;杨有才;张吉明;方继恒;候攀;陈赟;马洪伟;段云昭;
申请日2019-09-11
分类号G01N1/28(20060101);
代理机构53115 昆明今威专利商标代理有限公司;
代理人高敏
地址 650000 云南省昆明市五华区高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所)
入库时间 2022-08-23 13:03:03
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 高熔点金属硅化物靶材及其制备方法,相同的高熔点金属硅化物膜和半导体器件
机译:低熔点金属微粉的新型制备方法
机译:一种使用双滤血清代谢物LC-MS分析的自动化高通量样品制备方法
机译:SALP,一种新的单链DNA文库制备方法,特别适用于染色质开放状态的高通量表征
机译:一种快速原型制作微型制备方法,使用高通量微注塑成型高温浇铸材料
机译:固体基质高通量样品制备方法的开发与应用
机译:多合一测序:一种改进的文库制备方法用于具有成本效益的高通量下一代测序
机译:为每种贵金属制备主要标准溶液。实验室制备方法第6号(修订)