一种体心立方钽涂层的制备方法

摘要

本发明涉及材料科学领域，特别涉及一种体心立方钽涂层的制备方法。采用负辉光区磁控溅射方法，基片零件放置在阳极与阴极之间的负辉光区内，基片加热温度在200～400℃之间，使用的电源为直流电源或脉冲电源，靶材为纯钽，工作气体为Ar，溅射功率密度为3W/cm2～15W/cm2之间。本发明能够沉积体心立方晶格α‑Ta涂层，结合力和抗热震性能显著优于优秀的常规磁控溅射钽涂层。采用本发明制备的钽涂层厚度达到100μm左右时与基体结合良好，而采用常规磁控溅射方法制备的钽涂层厚度达到15μm时就出现剥落。采用本发明制备的厚度为100μm钽涂层抗热震性能比采用常规磁控溅射方法制备的厚度为10μm钽涂层层高7倍。