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一种在轨标校质谱仪基础参数的方法

摘要

本发明涉及质谱仪基础参数标校技术领域,提供了一种在轨标校质谱仪基础参数的方法,利用硅酸盐矿物在熔融态下可以吸附环境中气体的特点,在真空条件下,将硅酸盐矿物进行加热,得到熔融态硅酸盐矿物;将其置于标准气体的环境中进行吸附,然后迅速冷却得到标准样品,然后将标准样品预装于质谱仪的热控装置中。当质谱仪进入预定轨道后,需要利用质谱仪进行物质测试时,对标准样品进行在轨加热,使吸附的标准气体释放到质谱仪中,实现质谱仪基础参数的标校。由于硅酸盐矿物在加热之前不会释放气体,避免了使用标准气瓶导致的漏气的风险,且无需与气瓶配套的阀门,降低了质谱仪的重量,进而降低了火箭发射成本。

著录项

  • 公开/公告号CN113484401B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院地质与地球物理研究所;

    申请/专利号CN202110766464.3

  • 发明设计人 刘子恒;李健楠;苏菲;贺怀宇;

    申请日2021-07-07

  • 分类号G01N27/62(20210101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人李博

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路19号中国科学院地质与地球物理研究所

  • 入库时间 2022-08-23 12:59:58

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