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一种任意纳米锥阵列原位转化为银纳米片构筑的微/纳米结构阵列的方法

摘要

本发明公开了一种任意纳米锥阵列原位转化为银纳米片构筑的微/纳米结构阵列的方法,在任意纳米锥阵列表面溅射一层铜膜,获得铜阵列;利用铜和铜盐溶液之间的归中反应,将铜阵列浸泡在铜盐溶液中,反应后获得氧化亚铜阵列;将氧化亚铜阵列浸泡在含有硝酸银的溶液中,反应后获得银纳米片构筑的微/纳米结构阵列。既可以获得阵列结构,又可以不受到衬底的限制。该结构具有纳米片的高比表面积,提供更多的活性位点,同时阵列结构能够保证样品的均匀性和稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN109648096B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;

    申请/专利号CN201910020496.1

  • 发明设计人 刘广强;郭静;蔡伟平;

    申请日2019-01-09

  • 分类号B22F9/24(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑立明;赵镇勇

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

  • 入库时间 2022-08-23 12:56:44

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