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公开/公告号CN109623630B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201811122514.9
发明设计人 陈政炳;李仁铎;彭升泰;赖宗龙;谢子逸;张建玮;
申请日2018-09-26
分类号B24B37/30(20120101);H01L21/768(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 12:54:18
机译: 集成的高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)方法和化学机械抛光(CMP)平坦化方法,用于形成图案化的平坦化孔径填充层
机译: 形成和使用用于微电子衬底的机械和化学机械平坦化的平坦化垫的方法
机译: 形成和使用用于微电子衬底的机械和化学机械平坦化的平坦化垫的方法和设备
机译:在化学气相沉积的CO膜的化学机械平坦化中作为互连应用的化学机械平坦化的钾油酸溶解剂
机译:电化学机械平坦化和化学机械平坦化对两步抛光工艺的影响
机译:Cu互连中Mn基屏障/ Ru衬里膜的化学机械抛光和平坦化,用于高级金属化节点
机译:通过晶圆平坦化的电动动力辅助化学机械平坦化模块化电极的研制
机译:化学对氧化铝浆料的胶体行为和铜化学机械平坦化的铜纳米硬度的影响
机译:二苯二碲化物的125 Te化学位移:在平坦的能表面上追赶同构物
机译:纳米级保护氧化膜的表征:金属化学机械平坦化的应用
机译:微电子电路的电化学平坦化。