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公开/公告号CN111223508B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 华邦电子股份有限公司;
申请/专利号CN201811427146.9
发明设计人 王炳琨;林铭哲;吴健民;赵鹤轩;傅志正;廖绍憬;
申请日2018-11-27
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人吴志红;臧建明
地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
入库时间 2022-08-23 12:48:27
机译: 多状态电阻式存储器元件,多位电阻式存储器单元,其操作方法以及使用该存储器元件的数据处理系统
机译: 非易失性存储器元件,非易失性半导体存储装置以及从存储器元件和存储装置读取数据的方法以及在存储器元件和存储装置中写入数据的方法
机译: 存储器元件,半导体存储装置,制造存储器元件的方法以及从半导体存储装置读取的方法
机译:表面活性剂分子使液相剥离的石墨烯成为电阻式随机存取存储器应用的开关元件
机译:基于SiCOH的电阻式随机存取存储器,用于行兼容非易失性存储器的后端
机译:基于忆阻器的电阻式随机存取存储器:低功耗紧凑型存储器设计的混合架构
机译:基于SiOx的电阻式开关存储器(RRAM),用于纵横开关存储/选择元件,具有高开/关比
机译:从材料开发工程到新型加密和神经形态应用的电阻式随机存取存储器。
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:用于非易失性存储器应用的磁场控制混合半导体和电阻式开关装置
机译:磁随机存取存储器;集成无源元件