一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件

摘要

本发明涉及一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件，包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极；所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽，所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽间隔设置，两者之间形成纳米沟道，并将二维半导体导电层除纳米沟道以外的区域分隔成第一低电阻区域和第二低电阻区域；所述纳米沟道与输入电极、输出电极相互平行；所述第一低电阻区域和第二低电阻区域分别与输入电极和输出电极相连，且通过纳米沟道相互导通。本发明器件可以产生明显的静态负微分电阻效应，基于该效应可实现宽频带的太赫兹辐射。