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用于10NM以下构图的嵌段共聚物

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本发明涉及合成并利用可形成10nm以下薄层纳米结构的嵌段共聚物的方法。这种方法具有许多用途，其中包括在半导体工业中的多种应用，包括生产用于纳米压印平版印刷术的模板。

著录项

公开/公告号CN109153760B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人得克萨斯大学体系董事会;
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申请/专利号CN201780012875.5
发明设计人 C·G·威尔森;G·布拉胡特;M·马赫;Y·浅野;C·J·艾里森;
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申请日2017-02-22
分类号C08F299/02(20060101);C08F224/00(20060101);C08F230/08(20060101);B32B27/28(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人任宗华
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 12:42:23

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