公开/公告号CN109994379B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN201711474154.4
发明设计人 不公告发明人;
申请日2017-12-29
分类号H01L21/308(20060101);
代理机构11313 北京市铸成律师事务所;
代理人张臻贤;李够生
地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2022-08-23 12:38:11
机译: 形成半导体有源区和隔离区的双重图形化方法
机译: 形成半导体有源区和隔离区的双重图形化方法
机译: 形成半导体有源区和隔离区的双重图形化方法