一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法

摘要

本发明涉及一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，有助于改善目前集成电路中p沟道晶体管元器件载流子迁移率较低，无法与n沟道晶体管迁移率相匹配的现状。本发明利用金属‑半导体异质结降低沟道半导体中载流子浓度，从而提高元器件的载流子迁移率。本发明在GaSb纳米线场效应晶体管表面沉积CMOS兼容的低功函数铝、锡或钛金属颗粒，当沉积铝颗粒时，器件峰值空穴迁移率提高到3372cm2·v‑1·s‑1，是未沉积时的三倍，达到室温大气环境中p沟道晶体管空穴迁移率最大值。工艺可控性强，操作简单，成本低廉。