电阻交叉点存储器、再标定测试方法和自标定电阻交叉点存储器阵列芯片

摘要

一种电阻交叉点存储(RXPtM)单元阵列器件(10)，它的一个例子磁性随机存储(MRAM)器件，包括一个芯片(40)，在其上面形成一个RXPtM单元阵列(12)，用来检测RXPtM单元(14)的电阻值的检测放大器(44)的阵列，以及一个输入/输出(I/O)控制器(48)。I/O控制器(48)包括一个标定控制器(50)，为了保证放大器(26)具有可接受的标定而根据现有的环境条件来测试特别选定的一个存储单元(14)和阵列(44)中有关的一个特定的检测放大器(26)的组合。采用一种方法来保证RXPtM单元阵列器件(10)的数据完整性，从器件(10)中检测数据的每一个操作包括一种标定测试，如果检测放大器(26)不能通过测试就重新标定。在检测放大器(26)指示出正确的标定时，就继续检测数据值。