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凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆

摘要

本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆,所述凹陷缺陷的检测方法包括:提供一晶圆,在所述晶圆上形成覆盖层,所述覆盖层的厚度在以上;去除所述覆盖层后,检测所述晶圆上的凹陷缺陷。本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中,通过在晶圆上形成覆盖层,使覆盖层的厚度在以上,在去除覆盖层时,可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大,从而可方便的被晶圆检测设备检测出来,从而进行及时有效监控缺陷的发生,减少因此而造成的损失。

著录项

  • 公开/公告号CN108010863B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201711288821.X

  • 发明设计人 冯巍;董思远;郭万里;

    申请日2017-12-07

  • 分类号H01L21/66(20060101);G01N21/95(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅;李时云

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2022-08-23 12:34:50

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