外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销

摘要

本发明提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。