制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件

摘要

本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。