一种含Ti₃SiC₂界面层的SiC_f/SiC复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种含Ti₃SiC₂界面层的SiC_f/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积Ti₃SiC₂，获得含Ti₃SiC₂界面层的SiC纤维编织件，然后通过树脂浸渍碳化获得SiC_f/C多孔体，再通过气相渗硅获得SiC_f/SiC复合材料；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti₃SiC₂，所述Ti₃SiC₂的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含Ti₃SiC₂界面层的SiC_f/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用非接触式气相渗硅法进行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保证100％的合格率。