公开/公告号CN100466174C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN200480022993.7
发明设计人 盖伊·莫谢·科恩;帕特里夏·梅·穆尼;
申请日2004-06-08
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/762(20060101);H01L29/786(20060101);H01L27/092(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国纽约阿芒克
入库时间 2022-08-23 09:01:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-04
授权
授权
2006-11-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-09-20
公开
公开
机译: 绝缘体上应变硅单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
机译: 绝缘体上应变硅单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
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