首页> 中国专利> 量子点发光层和量子点发光二极管

量子点发光层和量子点发光二极管

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光层和量子点发光二极管。所述量子点发光层的材料包括量子点和分散在所述量子点之间的一种或多种离子液体材料。该量子点发光层可用于各种电子器件，如量子点发光二极管、有机发光二极管、光电传感器、光电探测器、激光器、薄膜晶体管、互补金属氧化物半导体器件等。

著录项

公开/公告号CN111244308B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10

原文格式PDF
申请/专利权人 TCL科技集团股份有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201811445912.4
发明设计人梁柱荣;曹蔚然;钱磊;
展开▼

申请日2018-11-29
分类号H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;
代理人方良
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
入库时间 2022-08-23 12:27:16

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 量子点发光层和量子点发光二极管 [P] . 中国专利： CN111244308B . 2021.09.10
2. 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106601925B . 2020.10.27
3. METHOD AND A DEVICE FOR REPAIRING A LIGHT EMITTING DIODE USING QUANTUM DOT COATING, CAPABLE OF FORMING A QUANTUM DOT LAYER ON THE TOP OF A DEFECTIVE LIGHT EMITTING DIODE BY A QUANTUM DOT MIXED SOLUTION [P] . 韩国专利： KR20110028737A . 2011-03-22

机译：使用量子点涂层修复发光二极管的方法和装置，能够通过量子点混合溶液在缺陷发光二极管的顶部形成量子点层
4. SURFACE TREATED QUANTUM DOT SURFACE TREATING METHOD FOR QUANTUM DOT QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME SURFACE TREATED QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE [P] . 韩国专利： KR101840423B1 . 2018-03-20

机译：处理量子点的发光二极管的表面处理量子点包括相同表面处理量子点的发光二极管的制造方法和制造相同量子点发光二极管的方法
5. SURFACE TREATED QUANTUM DOT SURFACE TREATING METHOD FOR QUANTUM DOT QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME SURFACE TREATED QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE [P] . 韩国专利： KR20170114656A . 2017-10-16

机译：处理量子点的发光二极管的表面处理量子点包括相同表面处理量子点的发光二极管的制造方法和制造相同量子点发光二极管的方法