公开/公告号CN107735864B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 美商新思科技有限公司;
申请/专利号CN201680039906.1
申请日2016-06-08
分类号H01L29/78(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;董典红
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:24:35
机译: 在3D几何图形上具有2D材料通道的基板和晶体管
机译: 互补晶体管的制造方法,涉及在另一衬底上形成具有特定临界尺寸的n沟道和p沟道晶体管的栅电极结构。
机译: 用作晶体管的电荷俘获存储单元包括半导体主体或衬底,该衬底具有在沟道区域中具有弯曲的上侧。