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衬底和具有3D几何图形上的2D材料沟道的晶体管

摘要

粗略地描述,晶体管形成有共形地包裹在3D结构的至少一部分上的半导体2D材料层。所述3D结构可以是例如由电介质材料制成或者由与半导体或传导材料纵向交替的电介质材料制成的脊。可替代地,所述3D结构可以是树形。其他形状也是可能的。各方面还包括用于制造此类结构的方法、以及限定此类结构的集成电路布局和用于开发此类布局的方法、存储包括限定此类结构和布局的一些设计条目的设计条目的机器可读数据存储介质、用于开发此类设计条目的方法。各方面还包括被制备为用于制造集成电路中的中间产品的皱褶状晶片,所述集成电路具有共形地设置在3D结构上的半导体2D材料层。

著录项

  • 公开/公告号CN107735864B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美商新思科技有限公司;

    申请/专利号CN201680039906.1

  • 发明设计人 V·莫洛兹;J·黄;J·卡瓦;

    申请日2016-06-08

  • 分类号H01L29/78(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;董典红

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:24:35

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