退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN100449733C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN200510067809.7
发明设计人 吕函庭;施彦豪;谢光宇;李明修;吴昭谊;徐子轩;
申请日2005-04-26
分类号H01L21/82(20060101);
代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁;张华辉
地址 中国台湾
入库时间 2022-08-23 09:01:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-01-07
授权
2005-12-28
实质审查的生效
2005-11-02
公开
机译: 一种非易失性存储设备,使用在?????中形成的陷阱由????离子注入作为电荷存储能级及其制造方法
机译: 减轻电荷陷阱非易失性存储器中的保留漂移
机译: 利用NB离子掺杂在HFO2中形成电荷陷阱的非易失性存储器及其制造方法
机译:具有氧化物-氮化物-氧化物结构的非易失性存储器件中的电荷陷阱和界面陷阱
机译:铝掺杂的氧化Ga作为阻挡层,用于改善电荷陷阱型非易失性存储器件中的电荷保留
机译:基于HfO2的FeFET型非易失性存储器中的电荷陷阱现象
机译:HfTiON作为非易失性存储器应用中的电荷陷阱层
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:氧化石墨烯作为介电和电荷陷阱元素并五苯的有机薄膜晶体管在非易失性存储器中的应用
机译:用于非易失性存储器的扫描探针显微镜对铜掺杂氧化锌薄膜中陷阱电荷的电学研究。
机译:弱氢键C-H - 供体和C-H - 阴离子相互作用在控制有机供体BEDT-TTF和BEDO-TTF及其电荷转移盐的结构性质中的重要性。