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一种超导-拓扑半金属复合式磁探测器

摘要

一种超导‑拓扑半金属复合式磁探测器,涉及一种超导磁探测器,包括超导层(1)及拓扑半金属层(2)。所述的超导层(1)为闭合超导环路结构,超导环路中的一段区域采用电流压缩区域。拓扑半金属层为锯齿形条状结构。拓扑半金属层(2)位于超导层(1)闭合环路中电流压缩区域内侧,且拓扑半金属层(2)与超导层(1)中电流压缩区域之间的间距小于超导层(1)中电流压缩区域的宽度。

著录项

  • 公开/公告号CN110726960B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201911014719.X

  • 发明设计人 伍岳;肖立业;

    申请日2019-10-24

  • 分类号G01R33/09(20060101);G01R33/035(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 12:22:46

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