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MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法

摘要

本发明的实施例提供了一种MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,该MEMS封装结构包括集成电路板、MEMS芯片、第一腔盖、封装电路板和第二腔盖。通过开设进音容置槽,使得第一腔盖能够容置在进音容置槽内,降低了整体的封装高度,进而缩小了封装体积,有利于产品的小型化。同时利用第一腔盖作为MEMS芯片的前音腔,引导音压传输,避免外部音压直接与MEMS芯片上的硅振膜接触,从而降低硅振膜破裂风险,同时利用第二腔盖作为MEMS芯片的后音腔,提升了MEMS芯片背面的空气空间,从而提高MEMS芯片的灵敏度和信噪比,同时还能够提高MEMS芯片的频响性。

著录项

  • 公开/公告号CN113132889B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甬矽电子(宁波)股份有限公司;

    申请/专利号CN202110669873.1

  • 发明设计人 何正鸿;钟磊;李利;

    申请日2021-06-17

  • 分类号H04R31/00(20060101);H04R19/00(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人梁晓婷

  • 地址 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

  • 入库时间 2022-08-23 12:22:20

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