一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法

摘要

本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，包括：(1)测量磁性隧道结的磁滞回线，找出初始磁场；(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场；(3)对磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤直至获得十种多磁畴状态；(5)读出十种多磁畴状态。本发明更可以直接应用到现有的磁性隧道结构中，极大的拓展目前磁性隧道结的性能。本发明在高密度、低功耗新型自旋电子存储器方面有良好的应用前景。