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用于具有更高阵列效率的2堆叠3D相变存储器的新型分布式阵列和CMOS架构

摘要

一种三维存储架构,其包括存储单元的底部单元阵列、存储单元的顶部单元阵列、耦合到底部单元阵列的多条底部单元位线、耦合到顶部单元阵列的多条顶部单元位线、以及耦合到这两个阵列的多条字线。提供位线解码器和字线解码器以选择性地激活位线和字线。将存储单元的阵列分别布置在偏移的子部分中。将位线和字线分别布置在偏移的部分中。将位线解码器布置在偏移的位线解码器子部分中。将字线解码器也布置在偏移的字线解码器子部分中。

著录项

  • 公开/公告号CN111819705B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202080001051.X

  • 发明设计人 刘峻;

    申请日2020-05-12

  • 分类号H01L45/00(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵磊;刘柳

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

  • 入库时间 2022-08-23 12:18:53

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