公开/公告号CN111819705B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 长江先进存储产业创新中心有限责任公司;
申请/专利号CN202080001051.X
发明设计人 刘峻;
申请日2020-05-12
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/02(20060101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人赵磊;刘柳
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
入库时间 2022-08-23 12:18:53
机译: 具有较高阵列效率的3D相变存储器的数组和CMOS架构
机译: 用于减轻具有堆叠间连接阵列的3D芯片堆叠中的应力并改善热量管理的系统
机译: 用于在具有堆叠间连接阵列的3D芯片堆叠中减轻应力并改善热管理的系统和方法