公开/公告号CN111020198B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 广西大学;
申请/专利号CN201911276212.1
申请日2019-12-12
分类号C22B7/00(20060101);C22B58/00(20060101);B01J20/26(20060101);B01J20/30(20060101);B01D15/20(20060101);
代理机构11531 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李宏伟
地址 530004 广西壮族自治区南宁市大学路100号
入库时间 2022-08-23 12:10:46
机译: 一种基于氮化镓的发光二极管器件的氮化镓基质分离方法,该器件包括可回收的氮化镓基质,能够降低制造成本和缺陷密度
机译: 基于硅基质的形成磷化镓半导体层和固溶体的低温方法
机译: 基于硅基质的形成磷化镓半导体层和固溶体的低温方法