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一种钯离子印迹共聚物膜的制备方法以及钯离子印迹共聚物膜的应用

摘要

本发明属于的领域,具体涉及一种钯离子印迹共聚物膜的制备方法以及钯离子印迹共聚物膜的应用,钯离子印迹共聚物膜的制备方法包括如下步骤:(1)双羟基端聚砜的制备:4,4‑二氯二苯砜与双酚A进行亲核缩聚反应制备双羟基端聚砜;(2)大分子链转移剂的合成;(3)三嵌段共聚物的制备;(4)金属‑有机复合物的制备;(5)成膜。本发明制备的钯离子印迹共聚物膜选择性吸附容量大、吸附速度快、使用寿命强,具备较好的膜分离能力和极高的通量,可极大地提高了钯离子的分离效率。本发明制备的非印迹共聚物膜在酸性溶液条件下能对钯离子有很好的特异性选择,钯离子印迹共聚物膜的特异性选择则更高,可以将钯(II)从电镀漂洗废水有效分离。

著录项

  • 公开/公告号CN110538584B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南科技大学;

    申请/专利号CN201910684733.4

  • 申请日2019-07-26

  • 分类号B01D71/80(20060101);B01D69/02(20060101);B01D67/00(20060101);C02F1/28(20060101);C02F1/44(20060101);

  • 代理机构11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王闯

  • 地址 411201 湖南省湘潭市雨湖区石马头

  • 入库时间 2022-08-23 12:09:39

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