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单晶硅制备方法、太阳能电池及光伏组件

摘要

本发明提供一种掺镓和掺氮的单晶硅棒的制备方法,所述制备方法包括:使单质镓与多晶硅在单晶炉内混合,通过直拉拉晶的方式形成掺镓直拉单晶硅;在直拉单晶硅形成的过程中,通入不同混合比例的氮气和气氩的混合气体,使氮元素进入掺镓直拉单晶硅中。通过在单晶硅棒中掺杂镓来制备p型单晶,可以有效地降低p型单晶的光衰,提高电池片的转换效率。此外,在单晶硅棒的拉制过程中使用氮气作为掺杂气体,使氮元素进入单晶硅棒中,提高单晶硅棒的机械强度,改善单晶硅棒内的杂质分布状况,有利于单晶硅片薄片化以及品质的提升。

著录项

  • 公开/公告号CN111575785B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010624020.1

  • 申请日2020-06-30

  • 分类号C30B15/00(20060101);C30B15/04(20060101);C30B31/04(20060101);C30B31/18(20060101);C30B29/06(20060101);H01L31/0288(20060101);

  • 代理机构11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司;

  • 代理人冯伟

  • 地址 200040 上海市静安区江场三路238号1516室

  • 入库时间 2022-08-23 12:08:17

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