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二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用

摘要

本发明属于材料合成领域,具体涉及纳米材料研究合成领域,更为具体的说是涉及二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用。本发明公开的MoS2、Co‑MoS2及Co‑MoS2负载Pd纳米片均为超薄二维片状结构,具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。通过对合成方法的改进,提供了一种可控的合成方法,并通过该方法制备得到相应的二硫化钼,进一步合成钴修饰的二硫化钼,并且进一步合成负载Pd的钴修饰的二硫化钼纳米片,该纳米片具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。

著录项

  • 公开/公告号CN109796044B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京晓庄学院;

    申请/专利号CN201910223132.3

  • 申请日2019-03-22

  • 分类号C01G39/06(20060101);B22F1/02(20060101);

  • 代理机构11108 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张洪年

  • 地址 211171 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号

  • 入库时间 2022-08-23 12:05:09

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